Materials semiconductors utilitzats habitualment per fabricar LED
La font de llum del LED és la unió PN, com es fa? Quins són els materials semiconductors que s'utilitzen habitualment per fer LED?
L'estructura essencial d'un díode emissor de llum és una unió PN semiconductora. Quan s'aplica una tensió directa a la unió PN, s'injecten portadors minoritaris i la recombinació de portadors minoritaris és el mecanisme de treball del díode emissor de llum. La unió PN es refereix a una estructura amb regions P i N adjacents en un sol cristall. Normalment es forma per difusió, implantació d'ions o creixement sobre un cristall d'un tipus de conductivitat per produir una capa fina d'un altre tipus de conductivitat. es fa la capa. Si el LED blau de carbur de silici es va fer per implantació d'ions, GaAs, GaAs0.60P{0.40/GaAs{{{10} }.35P0.65: N/GaP, GaAs0.15P0.85: N/GaP, GaP: ZnO/GaP es van fer mitjançant el mètode de difusió LEDs infrarojos, vermells, taronges, grocs i vermells, mentre que GaAlAs, InGaN, InGaAlP ultra alt Els LED de lluminositat estan fets d'unions de creixement, GaAs, GaP: ZnO/GaP i GaP: N/ GaP les unions LEDPN també es fan amb unions cultivades. En comparació amb el mètode de difusió i el mètode d'implantació d'ions, la unió de creixement generalment es sobrecompensa per fer una unió PN, i les impureses inútils són massa, donant lloc a una disminució de la qualitat del cristall, un augment dels defectes i un augment de l'ús. de recombinació no radiativa, el que resulta en una disminució de l'eficiència lluminosa.
Els materials semiconductors que s'utilitzen habitualment per fabricar LED inclouen principalment materials semiconductors compostos III-V com ara arsenur de gal·li, fosfur de gal·li, arsenur d'alumini de gal·li, fòsfor d'arsenur de gal·li, nitrur d'indi gal·li, fòsfor d'indi gal·li alumini, etc., així com el compost del grup IV. semiconductors. Carbur de silici, selenur de zinc compost del grup II-VI, etc.
